在今天凌晨的投资者会议上，英特尔发布了大量新处理器，新技术进展非常强劲，到2025年量产五代先进技术，推出四代酷睿处理器，一口气发布给16代酷睿。其中，CPU进程是重中之重，也是英特尔未来酷睿、至强、ARC显卡和封装技术的基石。在这次会议上，英特尔进一步明确了各代流程的量产时间和性能状况，让我们来看看。过去2021年，英特尔最重要的一步当然是量产英特尔7（迄今为止的10nm SF工艺）工艺，并以此为基础推出了12代酷睿Alder Lake。今年的13代酷睿Raptor Lake也将继续使用Intel7工艺，重点是提高和优化产能，13代酷睿此次又增加了8个功效核心，共计24核32线程。目前是2022年，Intel即将进入下一个节点Intel4，即之前的7nm，这一代工艺将首次使用EUV光刻，Intel表示该工艺将于2022年下半年投产，其晶体管每瓦性能将提高约20%。最初开发Intel4技术的是14代Core Metor Lake，但上市时间是到2023年，除了Intel自己生产的CPU模块外，还使用了台积电的N3技术。它应该是用于GPU模块等，如果没有记错的话，这是英特尔首次确认在官方路线图上使用了其他厂商的技术。Intel4过程之后是Intel3过程，也是基于EUV光刻的。官方预计英特尔3将具备更多功能，在每瓦性能上实现约18%的提升，并于2023年下半年投产。但从英特尔的路线图来看，酷睿处理器不会使用英特尔3进程。由于15代酷睿Arrow Lake直接使用20A工艺，后者是首个埃米级CPU工艺，支持RibbonFET和PowerVia两种技术，每瓦性能提升约15%，2024年上半年投产，最早上市的可能是16代酷睿Lunar Lake。2024年对英特尔非常重要，下半年将批量生产18A工艺，因此是20A工艺的改进版，每瓦性能将提高约10%。从Intel的路线图来看，他们未来几年非常激进，到2025年将量产5代技术，再到2024年将推出2代先进技术，与之前的4、5年都没有升级14nm、10nm技术完全不同，野心非常大。对于Intel的目标，2030年通过先进工艺RibbonFET、高NAEUV光刻、Foveros3D封装等各种技术，实现了在单一器件中继承超过1万亿个晶体管要知道，目前最高峰的芯片（包括密度更高的GPU）也不过是百亿级晶体管，英特尔需要在8年内实现5-10倍的密度提升，进而延续摩尔定律的辉煌。