ASML首席技术官：明年将向客户交付首台High,NA EUV光刻机
9月28日，ASML首席技术官Martin van den Brink在接受Bits & Chips采访时表示，该公司目前正在逐步实施EUV之后的高NA EUV技术路线图。ASML正准备向客户交付第一批高NA EUV光刻技术，可能在明年的某个时候。马丁说，供应链中的问题可能会打乱计划，但他相信这一目标是可以实现的。
IT温室了解到，NA（Numerical Aperture）被称为开口数，是光学透镜的重要指标，在一般的光刻装置中，该指标的数值被明确标记。在光源波长不变的情况下，NA的大小直接决定了光刻机的实际分辨率，决定了光刻机能够达到的最高工艺节点。High-NA EUV是下一代光刻设备，能够雕刻出比现有EUV光刻设备更精细的电路，被认为是一种改变游戏规则的设备，将决定亚3nm代工市场技术竞争的赢家。
Van den Brink表示，到目前为止，开发高NA技术的最大挑战是为EUV 光学器件构建测量工具。高NA反射镜的尺寸是其前身的两倍，并且必须在20皮米的范围内平整。这需要在蔡司的真空容器中进行验证，该容器大小“可以容纳一半的公司”。高NA EUV光刻机比现有的EUV光刻机消耗更大的功率，从1.5MW增加到2MW。主要原因是光源，High-NA使用相同的光源需要额外的0.5MW，ASML使用水冷铜线供电。对于HighNA EUV技术之后的技术场景，Martin表示ASML正在研究波长降低，但他不认为Hyper-NA是可行的，正在研究中，但还没有进入量产。Martin认为，HighNA将是最后一个NA，目前半导体光刻技术的道路即将走到尽头。与具有0.55孔径和传统0.33孔径透镜的EUV系统相比，高NA EUV系统提供了更高的精度，允许更高分辨率的图案形成，并允许更小的晶体管。在Hyper-NA系统中，理论上可以超过0.7，达到0.75。技术上也是可行的。但是，如果超级NA的成本像高NA一样快速增长，那么它在经济上是不可行的。因此，Hyper-NA 研究项目的主要目标是提出智能解决方案，使技术在成本和可制造性方面易于管理。（来源：The House）