DDR II PC系统发展迅速
英特尔LGA775处理器来了，i915/925主板上市，DDR II将迎来展现的发展阶段。这是因为新一代I915925芯片组与传统的i865/875架构有很大不同，除了支持当前533Mhz和800Mhz的前端总线外，还将增加DDRII支持。
内存控制器是芯片组的卖点之一，目前的I865集成了双通道DDR内存控制器，创造了英特尔的辉煌战绩。这个成功的想法也将反映到I915、I925芯片组的未来。未来I915、I925北桥内存控制器也将支持双通道DDR内存技术，但似乎旨在引入DDRII内存支持。ddr-ii最大的改进是从DDR中改进了I/O缓冲区的一部分。这样ddr-ii在一次数据传输中就变成了4 bit，是DDR的2 Bit的2倍。这4位读取技术与Rambus的4倍Rambus信号模型技术有点相似，即使核心频率低也能实现高数据传输率。同时，DDRII支持4个或8个循环中使用的固定指令长度。该规范提供了一种新的burst技术，称为#8220。sequential nibble# 8221;将每个拆分指令拆分为4位的两个半字节。这样，可以根据内存块的直进尺寸，以交错方式使突发长度的8个循环工作。
ddr-ii的新功能还包括内存上的信号终结器（ODT），更小的页面大小（可以在更低的电压下启动），并且DDRII采用的Posted CAS技术可以在RAS信号结束后，直接完成CAS指令。这样可以简化控制器的设计，从理论上增加内存处理上限。另外，ddr-ii和DDR的进一步区别是，不使用TSOP软件包而改为FBGA软件包，电路短，噪音少，后者体积变小，存储单元密度变高。另一个区别是ddr-ii模块电压为1.8伏，而不是DDR的2.5伏———这可以大大减少内存功耗，有助于工作频率的提高！2003年9月12日JEDEC（电子工程设计开发联合协会）发售了ddr-ii标准，现在也经过ddr-ii-400、ddr-ii-533、ddr-ii-667，转移到ddr-ii-800。我们相信原因，在英特尔支持的体系结构中，在不断的尖端总线和带宽不远的将来，ddr制造工艺限制将再次成为首桅系统，ddr ii将成为一个痛苦的ddr RAM，而不是ddr ii的ddr ii，那么看看维根技术的a-data DDR II533的好处。
威强a-data DDRII533存储模块产品，采用非常先进的0.10微米DDRII粒子，通过内置ODT（on-die-termination）内部中断电阻设计，主机板无需在存储模块旁边添加一列电阻，减少了PCB的使用空间；OCD（OffChip Driver）信号校准技术，使电压上升和下降有最小的dq-dqs SKEW（时钟信号偏离），提高信号质量；并且通过提高总线效率的Posted CAS（Column Address Strobe）功能，DDRII533分别实现了4.3GB的数据频带。此外，威刚Vitesta DDRII模块采用FBGA（Fine-pitch Ball GridArray；微球型网排列）安装技术的DDRII颗粒和雷射钻头的PCB，成功减少了IC颗粒与模块板的球面接触点，有效降低了高频工作温度和数据噪声，大大提高了数据传输速率。
威刚科技DDRII533内存模块是台湾第一个正式通过美国英特尔认证的DDRII产品。威刚科技在去年9月的Computex2003上率先在台湾业界展出DDRII的初期开发成果，领先国内内存模块厂商完成了DDRII533内存模块的出厂测试和量产准备。是国内第一家批量生产DDRII内存的制造商。
现在DDR内存是主流，不过，如果Intel LGA775处理器和915/925主板的更新普及，DDR II代替DDR被新采用吧。