美国参议员帕特里克利和功能丰富的半导体制造领域全球领导者GlobalFoundries 19日宣布，他们获得了3000万美元的联邦资金，用于推动佛蒙特州Essex Junction的GF工厂开发和下一代硅基氮化镓（GaN）的生产。氮化镓半导体具有处理大量热和功率水平的独特能力，其定位是在包括5G和6G智能手机、射频无线基础设施、电动汽车、电网、太阳能和其他技术等应用中实现改变游戏规则的性能和效率。参议员莱希在2022财年综合拨款法中获得3000万美元联邦资金。由此，GF能够购买工具，扩大200毫米氮化镓晶片制造的开发和实施。将氮化镓比例制造纳入工厂的能力进一步增强了工厂在射频半导体技术中的长期全球领先地位，使GF在包括电动汽车、工业电机和能源应用在内的大功率应用的芯片制造中居于领先地位。本其他交易协议（OTA）通过美国国防部可靠的访问计划事务所（TAPO）通过国防微电子活动签订。TAPO的主要任务是为国防部最重要和敏感的武器系统平台购买先进的半导体。自2019年以来，TAPO一直支持开发两用（民用和军用）硅基氮化镓。因为氮化镓提供稳定的半导体，适合国防部需要的高功率、高频器件，保持了美国的技术优势。在目前的开发阶段，计划利用TAPO以前的成功经验，继续使这两用技术成熟。“GlobalFoundries是可靠接入项目办公室的重要合作伙伴，一直为国防部最先进的武器系统平台提供先进半导体技术的半导体保证（信任）DMEA主任Nicholas Martin博士说“此次合作只是国防部为继续获得氮化镓等先进微电子技术所采取的步骤。”。这项3000万美元的协议是支持GF佛蒙特工厂的GaN最新的联邦投资。在2020和2021财年，参议员莱希为推动该厂氮化镓技术的研究和开发共获得1000万美元资金，为此次新的奖励铺平了道路。GF位于佛蒙特州Essex Junction的工厂，靠近伯灵顿，是美国第一个主要的半导体生产基地之一。今天，近2000名GF员工在这里工作，年制造能力超过600000张。基于GF的差异化技术，这些GF制芯片被用于世界各地的智能手机、汽车和通信基础设施应用。该工厂是一个可靠的替代工厂，与美国国防部合作生产安全芯片，用于美国最敏感的航空航天和国防系统。