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台积电第二代3nm工艺到来,N3E芯片流动

2023-01-04 09:23:04 栏目 : 移动互联 围观 : 0次

Alphawave公司10月26日宣布,使用业界第一个台式电气N3E制造技术(第二代3纳米级工艺节点)制造了芯片之一的流体片(Tape out)该芯片已由台积电生产,所有必要的测试都成功,将于本周晚些时候在台积电的OIP论坛上展出。该芯片为Alphawave IP ZeusCORE 填写不需要伪原创的词语,一行一个-112Gbps NRZ/PAM4串行化器去整流器(SerDes),支持未来几年流行的多种规格,如800G以太网、OIF112G-CEI、PCIe6.0、CXL3.0等。据悉,SerDes支持超长通道,为下一代服务器提供灵活的连接解决方案。Alphawave IPAlphawave公司的Tony Pialis会长兼首席执行官“Alphawave作为首批使用台积电最先进3纳米技术的公司之一感到荣幸,我们的合作关系将继续带来创新的高速连接技术,为最先进的数据中心提供动力,很高兴能在台积电OIP论坛的活动中展示这些解决方案。”表示。台积电计划在未来2~3年内推出5种3纳米级工艺技术,第一代3nm工艺N3将用于台积电大客户苹果的少数设计,而第二代3nm工艺N3E将具有改进的工艺窗口。这意味着更快的生产时间、更高的产量、更高的性能、更低的功耗。N3E预计将比N3更广泛采用,但其大规模生产计划将于2023年中期或2023年第3季度启动,距使用其N3生产节点开始大量制造台积电(HVM)大约一年后。根据IT主页,计划在明年开始N3E HVM的台积电力之后,追加提供用于需要高性能晶体管密度的芯片的N3S、用于高性能要求的应用的N3X、微处理器等3纳米级节点。

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